Memoria RAM Samsung 8 GB SO-DIMM DDR4 3200 MHz – Reacondicionada

Descripción

Este módulo de memoria RAM Samsung de 8 GB DDR4 es una solución de actualización estratégica para los profesionales del parque informático. Especialmente diseñado para ordenadores portátiles, estaciones de trabajo móviles y PC ultracompactos, este módulo SO-DIMM permite estabilizar los sistemas bajo Windows 10 y 11 durante la ejecución simultánea de varias aplicaciones empresariales. El uso de chips de memoria auténticos de Samsung garantiza una integridad de las señales y una estabilidad térmica óptimas, incluso bajo carga intensiva.

Técnicamente, este módulo cumple con la norma PC4-25600, ofreciendo una frecuencia de reloj de 3200 MHz. A diferencia de las memorias "overclockeadas", este módulo Samsung respeta estrictamente los perfiles JEDEC, asegurando una compatibilidad "Plug-and-Play" inmediata sin necesidad de ajustes en la BIOS. Su voltaje de funcionamiento de 1,2V reduce la disipación de calor y el consumo energético global del dispositivo, un factor crítico para preservar la autonomía de las baterías y la longevidad de los componentes internos.

Como componente reacondicionado, cada módulo ha sido sometido a una rigurosa auditoría de calidad. Los contactos de oro han sido limpiados e inspeccionados para prevenir cualquier oxidación, y cada módulo ha superado un ciclo completo de pruebas de estrés de memoria. Es la alternativa ecológica y económica ideal para la sustitución de RAM defectuosa o la ampliación de memoria en flotas de portátiles profesionales.

Características técnicas

• Referencia del fabricante: M471A1K43EB1-CWE / M471A1G44AB0 (según serie)
• Tecnología / Material: DDR4 SDRAM - 260-pin SO-DIMM
• Compatibilidad: Portátiles, NUC, iMac (según año), Synology (si admite DDR4)
• Frecuencia: 3200 MHz (PC4-25600)
• Capacidad: 8 GB
• Alimentación / Normas: 1,2 V (Bajo voltaje)
• Latencia: CL22

Consejos de taller y uso

Antes de cualquier manipulación, asegúrese de desconectar la batería interna del ordenador portátil para evitar cualquier arco eléctrico en las ranuras de memoria. Para beneficiarse del "Dual Channel" (duplicación del ancho de banda), recomendamos instalar dos módulos idénticos en capacidad y frecuencia. Si mezcla este módulo con uno de frecuencia inferior (ej: 2666 MHz), el sistema ajustará automáticamente la velocidad al módulo más lento. Limpie siempre las ranuras de la placa base con aire seco antes de la inserción para garantizar un contacto perfecto de los 260 pines.